CT 2

Ladungstransfer an Heterogrenzflächen organischer Halbleiter: Zu einer einheitlichen Beschreibung von Szenarien im Übergangsbereich zwischen Grundzustand bzw. angeregtem Zustand

16.08.2018 bis 15.08.2021

In diesem Projektantrag untersuchen wir den Landungstransfer an Hetero-Grenzflächen organischer Halbleiter. Unser Ziel ist das umfassende Verständnis der elektronischen Prozesse und optischen Eigenschaften durch die Verwendung komplementärer experimenteller Methoden, einschließlich Wachstums- und Strukturstudien, Untersuchung des elektrischen Transportes, optischer Spektroskopie und die Analyse der elektronischen Struktur. Auswirkungen des Ladungstranfers äußern sich dabei sowohl im Grundzustand, als auch nach optischer Anregung. Passende Materialkombinationen, die den Ladungstransfer über die gemeinsame Grenzfläche erlauben, werden identifiziert und die elektronischen Eigenschaften der resultierenden Grenzfläche
untersucht. Dabei stehen der Grad des Ladungstransfers, die Bindungsenergie und die Anisotropie des Ladungstransferzustandes sowie die Form der Zustandsdichte im Mittelpunkt.