ProjektUPS-XRAY – Struktur und elektronische Zustandsdichte an Grenzflächen organischer Halbleiter

Grunddaten

Akronym:
UPS-XRAY
Titel:
Struktur und elektronische Zustandsdichte an Grenzflächen organischer Halbleiter
Laufzeit:
01.01.2016 bis 31.12.2018
Abstract / Kurz- beschreibung:
This project aims to determine the electronic level alignment at the interface of two organic semiconductors (OSC). We will conduct a comprehensive study of the electronic level alignment of organic-organic (small molecule) heterostructures to understand the relationship between structural defects and electronic structure. The innovative combination of high-resolution X-ray scattering and high sensitivity UPS allows the detailed description of structural defects and electronic states located in the gap region, which are believed to play an essential role in the level alignment.
Schlüsselwörter:
Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy
X-ray scattering
Organic interfaces
Electronic level alignment

Beteiligte Mitarbeiter/innen

Leiter/innen

Institut für Angewandte Physik (IAP)
Fachbereich Physik, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Lokale Einrichtungen

Institut für Angewandte Physik (IAP)
Fachbereich Physik
Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Geldgeber

Bonn, Nordrhein-Westfalen, Deutschland
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