ProjektUPS-XRAY – Struktur und elektronische Zustandsdichte an Grenzflächen organischer Halbleiter
Grunddaten
Akronym:
UPS-XRAY
Titel:
Struktur und elektronische Zustandsdichte an Grenzflächen organischer Halbleiter
Laufzeit:
01.01.2016 bis 31.12.2018
Abstract / Kurz- beschreibung:
This project aims to determine the electronic level alignment at the interface of two organic semiconductors (OSC). We will conduct a comprehensive study of the electronic level alignment of organic-organic (small molecule) heterostructures to understand the relationship between structural defects and electronic structure. The innovative combination of high-resolution X-ray scattering and high sensitivity UPS allows the detailed description of structural defects and electronic states located in the gap region, which are believed to play an essential role in the level alignment.
Schlüsselwörter:
Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy
X-ray scattering
Organic interfaces
Electronic level alignment
Beteiligte Mitarbeiter/innen
Leiter/innen
Institut für Angewandte Physik (IAP)
Fachbereich Physik, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät
Fachbereich Physik, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät
Lokale Einrichtungen
Institut für Angewandte Physik (IAP)
Fachbereich Physik
Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät
Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät
Geldgeber
Bonn, Nordrhein-Westfalen, Deutschland