ProjektLadungstransfer an Heterogrenzflächen organischer Halbleiter

Grunddaten

Titel:
Ladungstransfer an Heterogrenzflächen organischer Halbleiter
Laufzeit:
01.09.2013 bis 31.08.2016
URL:

Schlüsselwörter:
Ladungstransfer
Grenzflächen
interfaces
organische Halbleiter
organic semiconductor

Beteiligte Mitarbeiter/innen

Leiter/innen

Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät
Universität Tübingen
Institut für Angewandte Physik (IAP)
Fachbereich Physik, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Lokale Einrichtungen

Institut für Angewandte Physik (IAP)
Fachbereich Physik
Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Geldgeber

Bonn, Nordrhein-Westfalen, Deutschland
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