ProjektAFSID – Atomic functionalities on silicon devices

Grunddaten

Akronym:
AFSID
Titel:
Atomic functionalities on silicon devices
Laufzeit:
14.12.2007 bis 01.02.2008
Schlüsselwörter:
Einzelatom-Transistor
atomskalige Elektronik
Nanoelektronik
nanoelectronics

Beteiligte Mitarbeiter/innen

Leiter/innen

Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät
Universität Tübingen
Institut für Angewandte Physik (IAP)
Fachbereich Physik, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Lokale Einrichtungen

Institut für Angewandte Physik (IAP)
Fachbereich Physik
Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Geldgeber

Brüssel, Belgien
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