ProjectTMDT – „Optimierung der elektronischen Struktur von Übergangsmetalldichalkogenid-Monolagen mittels…
Basic data
Acronym:
TMDT
Title:
„Optimierung der elektronischen Struktur von Übergangsmetalldichalkogenid-Monolagen mittels Dipol-Engineering durch molekulare Adsorbate“
Duration:
06/10/2022 to 05/10/2025
Abstract / short description:
Einzellagen aus Übergangsmetalldichalkogeniden (ÜMDC) wie MoS2 oder MoSe2 werden aufgrund ihrer faszinierenden elektronischen und optischen Eigenschaften intensiv untersucht. Mögliche Anwendungen in dem Mikro und Nanooptoelektronik schließen beispielsweise Feldeffekttransistoren, die thermoelektrische Stromerzeugung oder Photodetektoren ein. Die quasi zweidimensionale Struktur dieser Materialien bedingt, dass praktisch alle Atome direkten Kontakt zur Kristalloberfläche haben, wenn sie auf eine kristalline Oberfläche abgelegt werden, was die elektronischen Eigenschaften von ÜMDCs in hohem Maße abhängig von Oberflächendefekten und Adsorbaten macht. Während die Synthese von zweidimensionalen ÜMDCs in den letzten Jahren große Fortschritte gemacht hat und viele dieser Verbindungen mittlerweile in hoher Qualität kommerziell verfügbar sind, ist eine grenzflächeninspirierte Strategie zur kontrollierten Veränderung der elektronischen Struktur an der Oberfläche noch nicht verfügbar. Hier setzt dieses Forschungsprojekt an. Dem Projekt liegt die Hypothese zu Grunde, dass sich die optoelektronischen Eigenschaften von ÜMDCs durch Adsorption von organischen π-Systemen und die gezielte Einstellung des Dipols an der so gebildeten Grenzfläche kontrollieren lassen. Als π-Systeme verwenden wir dafür Moleküle aus der Klasse der fluorierten Metallphthalocyanine und Porphyrine, welche durch chemische Modifizierungen (Fluorierungsgrad sowie die Wahl des Metallzentrums) eine gezielte Einstellung von Grenzflächeneigenschaften zu ÜMDCs erlauben. Das betrifft insbesondere die Grenzflächendipole, die Energieniveauausrichtung und den Ladungstransfer. Zur Bestimmung der lateral ausgemittelten, elektronischen Grenzflächen- Eigenschaften werden in diesem Projekt photoemissionsbasierte Techniken eingesetzt. Mittels ortsaufgelöster Raman-, Fluoreszenz und Rastertunnelmikroskopie werden sowohl die Auswirkungen der Energieniveauausrichtung und die Orientierung von Dipolen an den Grenzflächen auf die optischen Eigenschaften der ÜMDCs untersucht sowie deren lokale Abweichungen in Form von Defekten aufgeklärt. Elektrische Transportmessungen geben Aufschluss über die Auswirkungen der Adsorbate auf die elektronischen Eigenschaften der Lagen.
Keywords:
electronic structure
elektronische Struktur
surface dipoles
Oberflächendipole
Spitzenverstärkte Optische > Mikroskopie
photoemission spectroscopy
Photoemissionsspektroskopie
Einzellagen aus Übergangsmetalldichalkogeniden
Involved staff
Managers
Faculty of Science
University of Tübingen
University of Tübingen
Institute of Physical Chemistry (IPTC)
Department of Chemistry, Faculty of Science
Department of Chemistry, Faculty of Science
Contact persons
Institute of Physical Chemistry (IPTC)
Department of Chemistry, Faculty of Science
Department of Chemistry, Faculty of Science
Institute of Physical Chemistry (IPTC)
Department of Chemistry, Faculty of Science
Department of Chemistry, Faculty of Science
Faculty of Science
University of Tübingen
University of Tübingen
Institute of Physical Chemistry (IPTC)
Department of Chemistry, Faculty of Science
Department of Chemistry, Faculty of Science
Local organizational units
Institute of Physical Chemistry (IPTC)
Department of Chemistry
Faculty of Science
Faculty of Science
Funders
Bonn, Nordrhein-Westfalen, Germany