Project BN-Graphen – Bor-Stickstoff Dotierung von Graphen: Vom Metall zum Halbleiter

Basic data

Acronym:
BN-Graphen
Title:
Bor-Stickstoff Dotierung von Graphen: Vom Metall zum Halbleiter
Duration:
01/08/2017 to 31/07/2018
Abstract / short description:
Graphen ist ein vielversprechender Werkstoff für eine große Breite von Anwendungen. Von großem Interesse ist sein Einsatz im Bereich digitaler Schaltungen, wo der derzeit verwendeten Siliziumtechnologie physikalische Grenzen gesetzt sind. Allerdings ist Graphen ein Metall, weshalb es ohne weitere Modifikation nicht in Transistoren Verwendung finden kann. Hier wird die Dotierung von Graphen vorgeschlagen, wobei Bor- und Stickstoffatome teilweise die Gitterplätze des Kohlenstoffs einnehmen. Durch den Ersatz einiger CC- durch BN- Einheiten wird eine Bandlücke erzeugt und das BN-Graphen zum Halbleiter. Erreicht werden soll dies durch Verwendung von BN-haltigen organischen Verbindungen mit vorgebildetem Graphengitter (Nanographen) und andererseits die BN-Einheiten so weit von der Peripherie entfernt sind, dass sie während der Graphenisierung bei hohen Temperaturen auf Metalloberflächen erhalten werden.

Staff

Managers

Faculty of Science
University of Tübingen
Institute of Organic Chemistry
Department of Chemistry, Faculty of Science

Local organizational units

Institute of Organic Chemistry
Department of Chemistry
Faculty of Science

Funders

Stuttgart, Baden-Württemberg, Germany
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